کمپانی IBM اخیرا توانسته است دست به تولید چیپ های 7 نانومتری با همکاری شرکت های سامسونگ، GlobaloFoundries و دانشگاه نیویورک؛ بزند. در ادامه به این موضوع می پردازیم که در ساخت این چیپ ها چه موادی به کار رفته است.
این چیپ ها را با فناوری FinFET طراحی کرده اند که نسبت به نسل قبلی ترانزیستور، بسیار ساده تر از شبکه های سیلیکون استفاده شده است. آلیاژ به کار رفته در آن از ژرمانیوم می باشد و تنها دلیلی که باعث شده تا از این آلیاژ استفاده شود، این بوده که در نسل های قدیمی تر شاهد مشکلاتی در عبور الکترون ها بودند که با ژرمانیوم این مشکل برطرف شده است.
همچنین برای ساخت این چیپ ها از پرینت و اشعه ی ماوراء بنفش EUV استفاده شده که باعث شده چیپ های ساخته شده بسیار کوچکتر تا اندازه 7 نانومتری تولید شوند و از همه مهمتر این کار باعث می شود تا به یک سری از کارهای پیچیده تر که بایستی بر روی این قطعات انجام می شد، نیاز نباشد.
در این تولید خارق العاده، متخصصان توانسته اند تمامی ترانزیستور ها را در این چیپ 7 نانومتری بگنجانند و اندازه این چیپ را نسبت به نسل های قبلی ،به نصف برسانند. همچنین سازندگان این چیپ ها مدعی شده اند که کارایی این چیپ ها نسبت به سایر چیپ های ساخته شده؛ 50 درصد بهتر عمل می کند.
اما مشکلاتی نیز پش روی این کمپانی قرار دارد که تا برطرف کردن آنها بایستی تا سال 2018 منتظر تولیدات انبوه این چیپ ها باشیم. همچنین این امکان نیز وجود دارد که کمپانی اینتل نیز به این فناوری دستیابد ،پس بایستی کمپانی IBM مسیر تولیدات انبوه خود را هرچه سریع تر هموار سازد.
